揭秘碳化硅芯片的设计和制造

宣布时间：2023-04-11 23:29来源：EEWORLD

众所周知，关于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购置获得，高质量的外延片也可以从外部购置到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件关于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和结果。

Die Layout

下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。

图一

芯片的外貌一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad), 开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)组成。有一些只有Gate pad，如上图的芯片就没有Kelvin source pad。

图二

在这里我们仔细视察芯片的周围有一个很窄的环形，这个有人叫耐压环，这是很形象的说法。它的作用主要是提升芯片的耐压，我们叫耐压环(Edge termination Ring)，通常是JTE结构，其实一个芯片主要就是由三部分组成，Terminal Ring，Gate Pad , Kelvin Source Pad和开关单位(Active Cell)，一个芯片外围一圈是耐压环，Gate pad把栅极信号通报到每一个Cell上面，然后里面是上百万个Active Cell。通常各人关注比较多的是Active Cell，因为芯片的开关和导通性能主要是和Active Cell有比较大的关系。在这里我们把芯片的layout另有各个部分的作用特点总结一下，这样便当各人对芯片有一个更好的认识。

耐压环（Edge termination Ring）

?围绕着芯片的开关单位，目前大大都接纳JTE结构。

?有效控制了漏电流，提高了SiC器件的可靠性和稳定性；

?减小了电场集中效应，提高了SiC器件的击穿电压，SiC MOSFET的击穿电压和具体的每一个开关单位有关，同时和耐压环也有很大的关系。

?避免离子迁移，JTE技术可以用于抑制移动离子的漂移，从而提高SiC MOSFET的可靠性和稳定性。具体来说，JTE技术可以在SiC MOSFET的边沿区域形成一些深度掺杂的控制区域，这些区域可以有效地抑制移动离子的漂移。别的，JTE技术还可以在控制区域中引入一些特殊的物质，例如氮、硼等，这些物质可以与移动离子爆发化学反应，从而减少其在MOSFET中的积累和漂移。

栅极焊盘和（Gate Pad），开尔文源极（Kelvin Source Pad）

?栅极pad主要作用就一个，把栅极的信号传输到各个开关单位，同时提一下，安森美的芯片是集成了栅极电阻的，这样在�？榉庾吧峡梢越谑】占浜鸵恍┍厩�。

?开尔文源极主要是增加了开关速度，减小开关损耗。不过在做并联使用的时候，就需要特别的设计来使用它。

开关单位(Active Cell)

?电流导通和关闭的路径

?所有的开关单位是并联

?牢固的单位特性下，单位的数量决定了整个芯片的导通电阻巨细和短路电流能力。

?目前主要分为平面和沟槽两种结构

我们已经对SiC MOSFET的外貌layout有了认识，在SiC的芯片里Edge terminal和Active Cell是很是重要的两部分，安森美在JTE的设计上具有富厚的经验，在SiC MOSET上已经从M1生长到了M3，通过几代的技术迭代生长，JTE设计仿真和制造很是的成熟。我们来总结一下JTE的一些特点和一些设计考虑因素。

SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。SiC JTE的设计关于实现所需的击穿电压并制止因器件边沿处高电场而导致的过早击穿至关重要。以下是SiC JTE设计的一些要害考虑因素： 1.JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边沿处的电场漫衍。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压。 2.JTE的锥角和深度：JTE的锥角和深度影响电场漫衍和击穿电压。较小的锥角和较深的JTE可以减少电场并提高击穿电压。 4.外貌钝化：外貌钝化层关于减少外貌泄漏并提高击穿电压很是重要。需要特别为SiC JTE器件精心设计和优化钝化层。 5.热设计：SiC JTE器件可以在比其Si对应物更高的温度下事情。可是，高温也可能降低器件性能和可靠性。因此，在SiC JTE设计历程中应考虑热设计，如散热和热应力。总体而言，SiC JTE设计是一个庞大的历程，涉及种种设计参数之间的权衡。需要进行仔细的优化和仿真，以实现所需的器件性能和可靠性。

Active Cell 开关单位 – SiC MOSFET的焦点

开关单位是SiC MOSFET中一个很是重要的部分。我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）凭据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，可是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅质料和硅质料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。好比SiC大宗使用了干蚀刻(Dry etch),另有高温离子注入工艺，注入的元素也纷歧样。

图三

目今国际上的SiC MOSFET绝大部分都接纳了图三A的平面结构，有少部分的厂家接纳了图三B的沟槽结构。从生长的角度来看，最终都会衍生到沟槽结构。可是目前的平面结构的潜力照旧可以继续深挖的，而沟槽结构也没有体现出它们应当有的水平，在这里我们引入一个统一的标准来权衡它们的性能 - Rsp(Rdson * area)，标识的是单位面积里的导通电阻巨细。平面结构的SiC MOSFET具有可靠性高，设计加工简单的优点。安森美用在汽车主驱逆变器里的SiC MOSFET的Rsp 从第一代M1的4.2 m?*cm2降低到M2的2.6 m?*cm2，目前的最新的M3e常温下的Rsp性能和友商的沟槽结构的SiC MOSFET的水平一致，而高温下的Rsp则低于友商沟槽结构SiC MOSFET的Rsp，抵达了行业领先的水平。M3e的cell pitch值和目前的沟槽结构的SiC MOSFET pitch值相当，这标明安森美在平面结构的SiC MOSFET生长优化到了一个相当高的水平。虽然一个MOSFET的性能不但仅看Rsp，还要考虑开关损耗。通过前几代的SiC MOSFET生长，以及凭据大宗的客户应用反响，安森美SiC MOSFET器件优化了导通损耗，开通损耗，反向恢复损耗以及短路时间，使得它们在客户的应用中抵达最优的一个效率。

SiC MOSFET的平面结构的Active Cell的设计制造偏向主要是减小开关单位间距也就是pitch值，提升开关单位的密度，减小Rdson，提升栅极氧化层的可靠性。

如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻，需要调解开关单位的间距，pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系，pitch值变小，Wg也相应变小，这个关于栅极的可靠性是有一定利益的，在SiC MOSFET里，栅极氧化层（Gate Oxide）很是的薄，小于100纳米，因此在SiC的生产工艺中使用了干式蚀刻的要领来控制加工的精度。

凭据图三A中的导通电阻示意图，我们可以得出Rdson=Rs+Rch+Ra+Rjfet+Rdrif+Rsub, 在这里面Rch和Ra占比最大，凌驾60%以上，所以它们酿成了设计和工艺优化的一个重点偏向之一。不过也不是一味的减小开关单位栅极的宽度就可以减小Rsp，栅极的Wg宽度减小到一定规模，反而会导致Rsp变大，在设计的时候需要综合考虑以上的参数相互之间的影响，这样才华获得一个比较理想的优化结果，安森美经过几代的工艺迭代生长，其平面结构的SiC MOSFET上已经在性能，良率，可靠性等方面生长得相对成熟。

在芯片里，每个active cell是并联在一起的，图四是一个芯片的截面图的示意图，在这里接纳的是带状结构的结构。从这里各人会关于芯片可以有更形象的了解。

图四芯片的截面图

以下是SiC MOSFET Rdson设计的一些要害考虑因素：

1.通道宽度和掺杂：SiC MOSFET的通道宽度和掺杂浓度会影响Rdson和电流密度。较宽和重掺的通道可以降低Rdson并提高电流承载能力。

2.栅极氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的危害。

3.栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而影响开关速度和Rdson。较低的栅极电阻可以提高开关速度，但也可能增加栅极电容。总体而言，SiC MOSFET Rdson设计是一个庞大的历程，涉及综合考虑各个参数之间的相互影响。需要进行仔细的优化和仿真并且进行试验和测试，以实现所需的器件性能和可靠性。

集成片上栅极电阻

安森美所有针对主驱逆变器开发的SiC MOSFET都集成了栅极的电阻，我们可以从图五看到有无电阻的区别。图五A是不需要栅极电阻（芯片上集成了），图五B是需要特别加一个栅极电阻。

图五

集成栅极电阻会给�？樯杓坪椭圃齑匆恍├妫�

?简化了�？榘蠖ㄏ叩墓ひ�，降低了失效率。

?减少了焊接电阻到DBC的工艺

?降低了BOM和制造本钱

?便于封装的相对小型化设计和制造

由于篇幅关系，加上SiC MOSFET的设计制造工艺很是的庞大，不是三言两语能够论述的清楚的，希望本文能让各人对SiC MOSFET的设计和制造有一个看法。安森美在SiC 功率器件的设计和制造领域拥有十多年的经验，我们的SiC MOSFET产品经过几代的迭代生长，无论是性能照旧品质和可靠性都已经稳定和具有竞争力，很是接待选择和使用我们的SiC MOSFET产品。

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